●IBM对于EUV的态度和布局
IBM公司近日宣布了其光刻技术战略，表示将把其193nm沉浸式光刻缩小到22纳米节点，以实现大量生产。换个角度看来，由于超紫外线（EUV）光刻技术还不能用于22nm节点逻辑的早期开发工作，该技术将在22nm工艺中再次被抛弃。
这对于EUV技术的拥护者来说无疑是个不好的征兆，他们本希望能在2009年将EUV这种下一代光刻技术应用于32节点中。另外，这一事件还对EUV是否已经就位，或者说它的可用性提出了更多疑问，它本来就已经由于人力资源、光刻胶等重要因素的缺乏而举步维艰了。
而且，一套EUV工具的价格可能高达4000万到6000万美元。业界希望EUV工具能够帮助其尽快进入量产，但这一技术还未完全成熟。IBM公司著名工程师、光刻技术开发总监GeorgeGomba表示：IBM也一直在开发EUV、沉浸式、直写等下一代光刻技术（NGL）。在它位于纽约州EastFishkill的领先的300纳米工厂里，IBM公司已经采用了来自ASML Holding NV公司的193nm光学扫描仪。
业界普遍认为IBM将继续和这家荷兰公司合作。IBM没有就其合作厂商发表评论。Gomba表示，IBM目前正采用“干式”193纳米沉浸式光刻工具生产65节点逻辑芯片。接下来，IBM将把193nm光刻扩展到45nm节点（65nm半间距）。在该节点上，IBM将采用一个193nm的沉浸式扫描仪和据称由ASML公司提供的1.2的数字孔径。
在45nm节点之后，IBM还将把193nm沉浸式光刻扩展到32纳米节点（45纳米半间距）。在这一节点上，IBM将试用单图形和双图形工艺，并采用一个带有1.35NA透镜的扫描器。令人意外的是，IBM还表示将在2011年将沉浸式光刻缩放至22nm节点。IBM认为193nm沉浸式光刻是能够满足22节点的2年周期和要求的唯一方案。
有专家表示，目前的193nm沉浸式光刻折射率为1.4，还只能以40纳米工艺生产。为了突破这一障碍，IBM将运用一个采用了双图形技术的先进的193nm沉浸式扫描器，以及分辨率增强技术和OPC。Gomba指出：“我们在试用各种不同的双图形工艺。”
至于EUV技术，IBM认为这项技术还不能用于22nm的早期开发工作。IBM希望EUV能接近22纳米节点，但这一技术要到2009年才能最终成熟。迄今为止，ASML公司已经销售了两款相当早期的“试用型”EUV工具，一个提供给了IMEC公司，另一个给了AlbanyNanotech公司。这家荷兰公司将给三星提供一款“预生产”型EUV设备，并可能给英特尔也提供一套。尼康和佳能也在开发EUV。