●EUV、450mm晶圆和TSV技术都将延迟

    根据ICinsights公司的数据，看起来几个正在显现的重要的IC制造技术都将延迟，包括450mm晶圆和远紫外（EUV）光刻技术。根据分析，450mm晶圆厂量产可能要比预期的时间晚两年，要等到2015年或2016年。而EUV将会错过16nm节点，因此要等到2015年的13nm节点才能引入。

450mm晶圆技术正在推进

   另一个技术，基于硅穿孔（TSV）的3D器件还处于萌芽期并“过高估计”了，IC insight分析师TrevorYancey表示。对于TSV的3D器件的吹嘘太多了，但在基板、测试和成本方面，还有很多问题需要解决。

   一些人认为TSV要进入主流应用还需要更长的时间。换句话来说，能帮助延续摩尔定律的三个技术——450mm，EUV和TSV——目前还是谈论多于实际。

TSV与多项技术结合应用

   450mm技术转移的延迟并不奇怪。IC insights公司主席BillMcClean在一个活动上表示：“经济不景气让450mm技术变得无关紧要。”

   根据报道，英特尔，台积电和三星正在分别推进45mm“原型”工厂在2012年的到来。这几家公司在寻找在32nm节点上的45mm“演示”工具和22nm上的“导入工具”。有人认为450mm工厂不会出现，他们认为研发费用太高了。没有人清楚谁会为工具和研发费用买单。

   在前不久的半导体产业策略座谈会（ISS）上，有谣言说450mm技术已经延迟了，据说要等到15nm节点才会有导入工具。有人推测，经济衰退，加上工具供应商的支持不足，是导致延迟的原因之一。

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   450mm量产工厂不会再2014年之前出现，Yancey表示。他认为450mm更可能出现的时间是“2015年或2016年”。Yancey同时相信量产工厂采用EUV也将迟于新的目标日期，预期是2013年的16nm逻辑节点。有可能EUV会支持第二代的16nm器件，但看起来这也不会发生。

EUV技术目前的蚀刻成果

   更有可能的情况是EUV在2015年的13nm逻辑节点上进入量产工厂，他表示。基于先前的考虑，还有功率源、光刻胶和掩膜等问题需要解决。

   英特尔和Sematech公司的警告日前再一次响起。芯片制造协会日前警告资金短缺和掩膜检测问题将影响EUV光刻的实施。三星也发出了这样的警告。